삼성전자가 3월 16일부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 '베라 루빈(Vera Rubin)' 플랫폼을 지원하는 메모리 토털 솔루션을 선보였다. 삼성전자는 이번 전시를 통해 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 모두 수행할 수 있는 종합반도체기업(IDM)으로서의 독보적인 역량을 입증했다.

삼성전자는 전시장에 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 마련하고 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. HBM4E는 1c D램 공정 기술과 삼성 파운드리의 4나노 베이스 다이 설계 역량을 결집한 제품으로, 핀당 16Gbps의 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 지원할 예정이다. 특히 열 저항을 기존 TCB 방식 대비 20% 이상 개선하고 16단 이상의 고적층이 가능한 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 함께 소개해 패키징 경쟁력을 강조했다.

엔비디아와의 전략적 파트너십도 한층 강화된다. 삼성전자는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 '베라 루빈'에 탑재될 모든 메모리와 스토리지 제품군을 적기에 공급할 수 있는 유일한 기업임을 부각했다. '엔비디아 갤러리' 존에서는 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763 등을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시하며 양사의 긴밀한 협력을 시사했다.

주요 제품군 중 SOCAMM2는 LPDDR 기반의 서버용 메모리 모듈로, 최근 품질 검증을 마치고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 또한 PCIe Gen6 기반의 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로 채택되었으며, 현장에서는 엔비디아 SCADA 워크로드를 통한 시연이 진행되어 업계 최고 수준의 성능을 증명했다. 삼성전자는 추론 성능 개선을 위해 새롭게 도입된 CMX 플랫폼에도 PCIe Gen5 기반 SSD PM1753을 공급할 계획이다.

한편, 행사 둘째 날인 3월 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청으로 발표에 나선다. 송 센터장은 AI 인프라 혁신을 뒷받침할 엔비디아 차세대 시스템의 중요성을 역설하고, 이를 지원하는 삼성전자의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시하며 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 주도하겠다는 의지를 밝힐 예정이다.